乙天 发布于 2007-8-1 21:39:00 最高效率能做到多少?
考虑肖特基二极管并一个MOS管,在主MOS管关闭后延时一定时间开通MOS管。
CCM方式感觉可以控制,DCM方式就难以处理了。
zhiwei 发布于 2007-8-2 21:17:00 用一个互补半桥驱动芯片,送主开关信号即可;或者两路带死区互补信号送入半桥驱动芯片。效率估计和专用开关电源芯片差不多;性能就与单片机性能、软件算法有关了。
乙天 发布于 2007-8-3 8:08:00 如果并一个肖特基二极管,避免了体二极管导通慢的问题。
我想关键可否去掉肖特基二极管,光用死区时来控制是否可行。
zhiwei 发布于 2007-8-3 19:35:00 把死区做好就可以了。
datouyuan 发布于 2007-8-4 2:03:00 不好做,一般单片机的处理能力不行,能做到几十kHz就不错了。而专用开关电源芯片可上MHz。
乙天 发布于 2007-8-4 10:21:00 50K就可以了。
因为精度要求并不太高,事实上我用肖特基非同步PWM频率是32K,4A输出12V,精度也挺高的,11.9V-12.2V之间。
用开关电源芯片做不到全保护功能,而且产品规格适应性差,无保密可言。
准备用用MOS管并肖特基二极管方案,如果单MOS管可行,就去掉肖特基二极管。
mybao 发布于 2007-8-4 11:50:00 LZ做电源产品啊?
* - 本贴最后修改时间:2007-8-4 11:52:03 修改者:mybao 乙天 发布于 2007-8-4 18:30:00 很多单片机都可以一个定时器输出两路PWM。 死区时间精确时间可能具体电路具体调试出来。
呵呵,是呀,转行做电源也不久,以前一直做软件,软件做累了。 现在做产品,能软件解决不用硬件。呵呵,也许做软件做多了。
maychang 发布于 2007-8-6 18:46:00 单片机有程序跑飞这一说,所以单片机都需要看门狗,有不少单片机把看门狗做到了片内。 作为数据采集之类,程序跑飞可以重启动,顶多丢些数据。控制功率MOS管,程序跑飞那就几乎一定要烧毁。
乙天 发布于 2007-8-6 18:57:00 比如用MOS管替换肖特基二极管,是存在主MOS管与从MOS管同时导通可能(程序跑飞),可只要在硬件加个简单的互锁,就杜绝短路的可能。如果主MOS管一直导通,也就是占空比100%,也不会烧MOS管。
死区时间的计算倒是个问题,不过通过MOS管驱动电路中上升与下降时间计算的近似公式也基本可得出死区时间,再微调下,多做做测试便可。
以上只是本人陋见,手中的产品目前还没有得到验证。 欢迎指教!
davidli88 发布于 2007-8-16 18:37:00 你很难算出整流管需要在什么时候关闭,稍有延迟,会有极大的反向放电电流,轻者发热剧增,效率下降,重者OVER
就算CCM模式,可行,但不容易做到跟硬件控制那么接近好: 1、开关信号调节步长要达到100nS量级,单片机压力不小; 2、并联肖特基二极管,加大整流MOSFET死区时间,成本稍高,效率也有影响。
乙天 发布于 2007-8-17 22:04:00 准备采用AVR单片机 20M晶振。 因为输出精度要求不高,只要稳定就可以。采用同步方式可以提高效率。
同步芯片挺贵的。
jasonell 发布于 2007-8-17 22:24:00 用弹片机够呛,一是可靠性,二是响应速度。
zhiwei 发布于 2007-8-18 9:46:00 用单片机的PWM模块输出很简单的,一路设正向工作,一路设反向互补工作,互补管的展空吡比前者多几个数(具体多少,可以根据你的计时周期来算)来设置死区,单片机即使死机,但是PWM模块是硬件的,不会随便就直通。不过还是推荐使用一个半桥驱动芯片,一则驱动变的简单,二者死区问题迎刃而解。这样出来纹波、动态响应应该会差一些,但是成本变小,外围也更简单,一致性会好一些。用在普通要求不高的电源里面还是比较合适的,特别是输出要求不高的场合。
maychang 发布于 2007-8-18 10:13:00 我要是用一片PWM控制芯片,例如3525之类,成本岂不更低?死区由硬件控制,占空比等等都不必单片机操心,省了很多事,响应速度快,保护功能完善。这样的芯片彩一块多钱,为什么不这么办? 仅从软件成本上看,也应该这么办。
乙天 发布于 2007-8-1 21:39:00 最高效率能做到多少?
考虑肖特基二极管并一个MOS管,在主MOS管关闭后延时一定时间开通MOS管。
CCM方式感觉可以控制,DCM方式就难以处理了。
zhiwei 发布于 2007-8-2 21:17:00 用一个互补半桥驱动芯片,送主开关信号即可;或者两路带死区互补信号送入半桥驱动芯片。效率估计和专用开关电源芯片差不多;性能就与单片机性能、软件算法有关了。
乙天 发布于 2007-8-3 8:08:00 如果并一个肖特基二极管,避免了体二极管导通慢的问题。
我想关键可否去掉肖特基二极管,光用死区时来控制是否可行。
zhiwei 发布于 2007-8-3 19:35:00 把死区做好就可以了。
datouyuan 发布于 2007-8-4 2:03:00 不好做,一般单片机的处理能力不行,能做到几十kHz就不错了。而专用开关电源芯片可上MHz。
乙天 发布于 2007-8-4 10:21:00 50K就可以了。
因为精度要求并不太高,事实上我用肖特基非同步PWM频率是32K,4A输出12V,精度也挺高的,11.9V-12.2V之间。
用开关电源芯片做不到全保护功能,而且产品规格适应性差,无保密可言。
准备用用MOS管并肖特基二极管方案,如果单MOS管可行,就去掉肖特基二极管。
mybao 发布于 2007-8-4 11:50:00 LZ做电源产品啊?
* - 本贴最后修改时间:2007-8-4 11:52:03 修改者:mybao 乙天 发布于 2007-8-4 18:30:00 很多单片机都可以一个定时器输出两路PWM。 死区时间精确时间可能具体电路具体调试出来。
呵呵,是呀,转行做电源也不久,以前一直做软件,软件做累了。 现在做产品,能软件解决不用硬件。呵呵,也许做软件做多了。
maychang 发布于 2007-8-6 18:46:00 单片机有程序跑飞这一说,所以单片机都需要看门狗,有不少单片机把看门狗做到了片内。 作为数据采集之类,程序跑飞可以重启动,顶多丢些数据。控制功率MOS管,程序跑飞那就几乎一定要烧毁。
乙天 发布于 2007-8-6 18:57:00 比如用MOS管替换肖特基二极管,是存在主MOS管与从MOS管同时导通可能(程序跑飞),可只要在硬件加个简单的互锁,就杜绝短路的可能。如果主MOS管一直导通,也就是占空比100%,也不会烧MOS管。
死区时间的计算倒是个问题,不过通过MOS管驱动电路中上升与下降时间计算的近似公式也基本可得出死区时间,再微调下,多做做测试便可。
以上只是本人陋见,手中的产品目前还没有得到验证。 欢迎指教!
davidli88 发布于 2007-8-16 18:37:00 你很难算出整流管需要在什么时候关闭,稍有延迟,会有极大的反向放电电流,轻者发热剧增,效率下降,重者OVER
就算CCM模式,可行,但不容易做到跟硬件控制那么接近好: 1、开关信号调节步长要达到100nS量级,单片机压力不小; 2、并联肖特基二极管,加大整流MOSFET死区时间,成本稍高,效率也有影响。
乙天 发布于 2007-8-17 22:04:00 准备采用AVR单片机 20M晶振。 因为输出精度要求不高,只要稳定就可以。采用同步方式可以提高效率。
同步芯片挺贵的。
jasonell 发布于 2007-8-17 22:24:00 用弹片机够呛,一是可靠性,二是响应速度。
zhiwei 发布于 2007-8-18 9:46:00 用单片机的PWM模块输出很简单的,一路设正向工作,一路设反向互补工作,互补管的展空吡比前者多几个数(具体多少,可以根据你的计时周期来算)来设置死区,单片机即使死机,但是PWM模块是硬件的,不会随便就直通。不过还是推荐使用一个半桥驱动芯片,一则驱动变的简单,二者死区问题迎刃而解。这样出来纹波、动态响应应该会差一些,但是成本变小,外围也更简单,一致性会好一些。用在普通要求不高的电源里面还是比较合适的,特别是输出要求不高的场合。
maychang 发布于 2007-8-18 10:13:00 我要是用一片PWM控制芯片,例如3525之类,成本岂不更低?死区由硬件控制,占空比等等都不必单片机操心,省了很多事,响应速度快,保护功能完善。这样的芯片彩一块多钱,为什么不这么办? 仅从软件成本上看,也应该这么办。
|